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MJD122-1

更新时间:2025-06-20 09:55:39
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MJD122-1外观图

MJD122-1

STMicroelectronics 晶体管(BJT) - 单路

TRANS DARL NPN 100V 8A TO252

  • 封装:*
MJD122-1 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    晶体管(BJT) - 单路
  • 系列
    -
  • 晶体管类型
    NPN - 达林顿
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）
    8A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）
    100V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
    4V @ 80mA，8A
  • 电流 - 集电极截止（最大）
    10µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
    1000 @ 4A，4V
  • 功率 - 最大
    20W
  • 频率 - 转换
    -
  • 安装类型
    *
  • 封装/外壳
    *
  • 供应商设备封装
    *
  • 包装
    *
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