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MJD18002D2T4

更新时间:2025-07-05 16:55:26
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MJD18002D2T4 规格参数
  • 制造商
    ON Semiconductor
  • 产品种类
    Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性
    NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    450 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO
    11 V
  • 最大直流电集电极电流
    2 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
    14
  • 配置
    Single
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    TO-252-3 (DPAK)
  • 封装
    Reel
  • 最小工作温度
    - 65 C
  • 功率耗散
    50000 mW
  • 工厂包装数量
    2500
MJD18002D2T4 Datasheet数据手册 PDF下载
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