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MJD2955T4G

更新时间:2025-05-11 07:47:21
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MJD2955T4G外观图

  • 标准包装：2,500
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：10A
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：8V @ 3.3A，10A
  • 电流 - 集电极截止（最大）：50µA
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：20 @ 4A，4V
  • 功率 - 最大：1.75W
  • 频率 - 转换：2MHz
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
  • 供应商设备封装：DPAK-3
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MJD2955T4GOSMJD2955T4GOS-NDMJD2955T4GOSTR
MJD2955T4G 相关信息
  • MJD2955T4G的技术参数
    产品型号:MJD2955T4G类型:PNP集电极－发射集最小雪崩电压VCEO(V):60集电极最大电流IC(Max)(A):10直流电流增益hFE最小值(dB):20直流电流增益hFE最大值(dB):100最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):2总功耗PD(W):20封装/温度(℃):3DPAK/-55~150价格/1片(套):暂无 来源:零八我的爱
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