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MMBFJ110

更新时间:2025-07-10 11:22:24
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  • MMBFJ110

    MMBFJ110

  • 7200

  • onsemi(安森美)

  • SOT233/25+26+

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MMBFJ110外观图

MMBFJ110

Fairchild Semiconductor JFET（结点场效应

IC SWITCH N-CH 3-SSOT

  • 封装:3-SMD，鸥翼型
MMBFJ110 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    JFET（结点场效应
  • 系列
    -
  • 电流 - 漏极(Idss) @ Vds (Vgs=0)
    10mA @ 15V
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    -
  • 漏极电流 (Id) - 最大
    -
  • FET 型
    N 沟道
  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
    25V
  • 电压 - 切断 (VGS 关）@ Id
    4V @ 10nA
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    -
  • 电阻 - RDS（开）
    18 欧姆
  • 安装类型
    表面贴装
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 封装/外壳
    3-SMD，鸥翼型
  • 供应商设备封装
    SuperSOT-3
  • 功率 - 最大
    460mW
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