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MMBT5550

更新时间:2025-07-03 15:47:03

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询价

深圳市诚研翔科技有限公司
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深圳市金棕榈半导体有限公司
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深圳闻舟科技有限公司
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深圳市顺泰半导体有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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YS/优尚
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深圳市信科微科技有限公司
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深圳闻舟科技有限公司
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深圳市世纪成达电子科技有限公
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深圳市欧达佳电子科技有限公司
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深圳市金嘉锐电子有限公司
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深圳市威尔健半导体有限公司
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8500
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深圳市勤尚伟业电子有限公司
MMBT5550
5000
FAIRCHILD
SOT23/23+
原装库存，提供优质服务

深圳市安富世纪电子有限公司
MMBT5550
6000
ON/安森美
SOT23/23+
终端可以免费供样，支持BOM配单

深圳市科翼源电子有限公司
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深圳市华美锐电子有限公司
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深圳华美锐科技有限公司
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深圳市威雅利发展有限公司
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深圳市华美锐科技有限公司
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深圳市创宝来科技有限公司
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8680000
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MMBT5550

Fairchild Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANSISTOR NPN GP SOT-23

封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

MMBT5550 概述

MMBT5550是安森美半导体生产的一款NPN小信号晶体管，采用SOT-23封装，适合表面贴装工艺。该晶体管具有高电流增益和低噪声特性，最大集电极-发射极电压为40V，适用于低功耗放大器、开关电路等场合。在音频设备中，常用于前置放大级，能够有效降低噪声干扰，提升音质表现。也可应用于便携式电子设备中的信号处理与转换电路，如无线通信模块的射频信号放大。使用时需注意基极电阻的选择以确保合适的偏置电流，避免过大的输入信号导致饱和失真。设计电路时应保证散热良好，虽然SOT-23封装体积小巧，但过热会影响性能。

MMBT5550 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 单路
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
600mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
140V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
250mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
60 @ 10mA，5V
功率 - 最大
350mW
频率 - 转换
50MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23
包装
带卷 (TR)
其它名称
MMBT5550-NDMMBT5550TR

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