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MMBTH10

更新时间:2025-07-04 18:46:22

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深圳闻舟科技有限公司
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深圳闻舟科技有限公司
MMBTH10LT1G
优势
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ONSemi/安森美
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深圳市顺泰半导体有限公司
MMBTH10
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深圳市世纪成达电子科技有限公
MMBTH10
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MMBTH10

Fairchild Semiconductor RF 晶体管 (BJT)

TRANSISTOR RF NPN SOT-23

封装:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

MMBTH10 概述

MMBTH10是由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的PNP晶体管。该晶体管采用SOT-23封装，非常适用于表面贴装应用。它具有低饱和电压和高电流增益的特点。此晶体管在多种电路中发挥重要作用，例如开关电路和放大器电路。在开关电路里，可用来控制负载的通断，适合驱动继电器、LED等小功率负载。在放大器电路中，可用于信号放大。使用时要注意其最大集电极 - 发射极电压为-40V，集电极最大电流为-500mA。设计电路时要确保不超过这些极限参数以保证器件正常工作并提高可靠性。

MMBTH10 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
RF 晶体管 (BJT)
系列
-
晶体管类型
NPN
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
25V
频率 - 转换
650MHz
噪声系数（dB典型值@频率）
-
增益
-
功率 - 最大
225mW
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
60 @ 4mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
50mA
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商设备封装
SOT-23-3（TO-236）
包装
带卷 (TR)
其它名称
MMBTH10FSTR

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