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MMDJ3P03BJTR2

更新时间:2025-05-29 11:18:48

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MMDJ3P03BJTR2 概述

MMDJ3P03BJTR2是安森美半导体生产的一款P沟道增强型MOSFET。该MOSFET采用小型的DFN封装，具有低导通电阻特性，在便携式设备和电源管理电路中表现出色。其工作电压范围为-30V至20V，适用于电池供电设备、负载开关以及电源管理模块等场景。在实际应用中，为了确保可靠工作，需注意栅极驱动电压的选择，一般应使Vgs满足开启电压要求，并且在PCB布局时尽量减小源极到漏极的走线长度以降低寄生电感影响。例如在负载开关电路中，可将此MOSFET与控制电路配合使用，实现对后级电路的快速开关控制。

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