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MMT10B064T3G

更新时间:2025-05-28 00:05:04

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MMT10B064T3G 概述

MMT10B064T3G是一款由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的MOSFET晶体管。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高频率应用。其最大漏极-源极电压为60V，连续漏极电流可达12A，适合用于电源管理电路、电机驱动以及负载切换等应用场景。由于其优秀的热稳定性和电气性能，在消费类电子产品、工业设备及汽车电子系统中被广泛应用。在实际应用中，需注意散热设计以确保器件工作在安全温度范围内，并根据具体电路需求合理选择栅极驱动电阻值以优化开关速度与EMI性能。

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