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MMUN2115LT1G

更新时间:2024-04-22 17:07:15
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MMUN2115LT1G外观图

  • 大小：152.3KB
  • 厂家：ON Semiconductor
  • 描述： TRANSISTOR, DIGITAL, SOT-23; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:50V; Power Dissipation Pd:3.2W; DC Collector Current:100mA; DC Current Gain hFE:250; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:-250mV; Continuous Collector Current Ic Max:100mA; Current Ic Continuous a Max:100mA; Current Ic hFE:5mA; Hfe Min:160; No. of Transistors:1; Package / Case:SOT-23; Pin Configuration:2; Power Dissipation Pd:246mW; Power Dissipation Ptot Max:200mW; Resistance R1:10kohm; SMD Marking:A6E; Termination Type:SMD; Transistor Typ...
  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
  • 系列：-
  • 晶体管类型：PNP - 预偏压
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）：10k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）：-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：160 @ 5mA，10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：250mV @ 1mA，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）：500nA
  • 频率 - 转换：-
  • 功率 - 最大：400mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
  • 供应商设备封装：SOT-23-3（TO-236）
  • 包装：带卷 (TR)
  • 其它名称：MMUN2115LT1G-NDMMUN2115LT1GOSTR
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