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MRA4001T3G

更新时间:2025-05-24 00:13:32

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MRA4001T3G 概述

MRA4001T3G是安森美半导体生产的一款N沟道增强型功率MOSFET。它采用DPAK封装，具有低导通电阻特性，在栅极 - 源极电压为4.5V时，最大导通电阻仅为30mΩ。其漏极 - 源极击穿电压可达40V，连续漏极电流最高为4A，适合于多种功率转换应用。该MOSFET在电源管理电路如直流 - 直流转换器、负载开关以及电池充电电路等场景中表现出色。在实际应用中，需注意其最大工作结温不能超过150°C，并且要保证足够的散热措施以确保稳定运行。

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