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MRF5812R1

更新时间:2025-06-11 06:38:04

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MRF5812R1 概述

MRF5812R1是NXP Semiconductors生产的一款LDMOS射频功率晶体管。它专为高频应用设计，工作频率范围可达30 MHz至1200 MHz。该器件适用于广播、无线通信基础设施等领域，如调频广播和电视发射机等场景。此晶体管在推挽配置下可提供高达120W的输出功率，在单端配置下则能实现60W的输出功率。它具备高增益特性，有助于简化放大器设计中的级联需求。在使用时，需注意合理的散热设计以保证其稳定运行。例如，在设计射频功率放大器电路时，要确保有足够的散热片或冷却系统，并且对输入输出匹配网络进行精确设计，以达到最佳性能表现。同时，电源去耦电容的选择与布局也相当重要，以避免不必要的干扰和损耗。

MRF5812R1 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
晶体管类型
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）
15V
频率 - 跃迁
5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）
2dB ~ 3dB @ 500MHz
增益
13dB ~ 15.5dB
功率 - 最大值
1.25W
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
50 @ 50mA，5V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
200mA
工作温度
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装
8-SO

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