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MRFG35002N6AT1

更新时间:2025-04-24 15:19:02
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  • 厂家：FREESCALE [Freescale Semiconductor, Inc]
  • 描述：Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
  • 产品变化通告：RF Devices Discontinuation 01/Jul/2010
  • 标准包装：1,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：RF FET
  • 系列：-
  • 晶体管类型：pHEMT FET
  • 频率：3.55GHz
  • 增益：10dB
  • 电压 - 测试：6V
  • 额定电流：1.7A
  • 噪音数据：-
  • 电流 - 测试：65mA
  • 功率 - 输出：1.5W
  • 电压 - 额定：8V
  • 封装/外壳：PLD-1.5
  • 供应商设备封装：PLD-1.5
  • 包装：带卷 (TR)
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