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MSD1819A-RT1

更新时间:2025-05-07 12:48:16
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MSD1819A-RT1 相关资料

  • 其它信息：

    电流参数：IC=0.1A
    电压参数：U(BR)CEO=50V/U(BR)CBO=60V/U(BR)EBO=7V
    功   率：PD=0.15W
    极   性：NPN

MSD1819A-RT1的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

MSD1819A-RT1外观图

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性：NPN
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V
  • 发射极 - 基极电压 VEBO：7 V
  • 最大直流电集电极电流：0.1 A
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min：210 at 2 mA at 10 V
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：SC-70-3
  • 封装：Reel
  • 集电极连续电流：0.1 A
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：150 mW
  • 工厂包装数量：3000
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