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MT49H64M9BM-25:B

更新时间:2025-07-12 08:49:56
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  • 北京芯旗科技有限公司

  • MT49H64M9BM-25:B

    MT49H64M9BM-25:B

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  • MICRON/美光

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MT49H64M9BM-25:B 规格参数
  • 现有数量
    0现货
  • 系列
    -
  • 包装
    散装
  • 产品状态
    停产
  • 存储器类型
    易失
  • 存储器格式
    DRAM
  • 技术
    DRAM
  • 存储容量
    576Mb
  • 存储器组织
    64M x 9
  • 存储器接口
    并联
  • 时钟频率
    400 MHz
  • 写周期时间 - 字，页
    -
  • 访问时间
    20 ns
  • 电压 - 供电
    1.7V ~ 1.9V
  • 工作温度
    0°C ~ 95°C（TC）
  • 安装类型
    表面贴装型
  • 封装/外壳
    144-TFBGA
  • 供应商器件封装
    144-μBGA（18.5x11）
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广东微尔科技有限公司
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