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MTH6N85

更新时间:2025-06-16 16:15:24

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MTH6N85 概述

MTH6N85是Magnachip Semiconductor公司生产的一款高压功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻和快速开关特性。其最大漏源电压Vds为650V，适用于交流-直流电源转换器、适配器、服务器电源等多种电力电子应用中。在PFC（功率因数校正）电路中表现尤其出色，可以有效提高电源效率并减少热量产生。设计时应注意栅极驱动电压的选择以确保可靠工作，推荐使用专用的MOSFET驱动芯片来优化性能。对于需要高耐压和高效能的应用场景，MTH6N85是一个理想的选择。但在实际应用中要特别注意静电防护，避免损坏栅极。

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