MTP50N04V

更新时间:2025-05-29 00:20:56

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MTP50N04V 概述

MTP50N04V是来自Monolithic Power Systems (MPS)的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效能的电源管理应用。其最大漏极-源极电压（Vds）为40V，连续漏极电流（Id）可达50A，在栅极驱动电压为10V时，典型导通电阻（Rds(on)）低至4.5mΩ。这款MOSFET常用于同步整流、电机控制、直流-直流转换器以及电池充电电路中，尤其适合那些对效率有严格要求的应用场景。在设计过程中，需要注意适当的散热措施以确保最佳性能，同时要保证栅极驱动电压足够高以降低导通损耗。当应用于高频开关电路时，应优化布局减少寄生电感，从而提高系统稳定性。

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