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MTP55N06Z

更新时间:2025-06-12 22:28:14

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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MTP55N06Z 概述

MTP55N06Z是由Monolithic Power Systems (MPS)公司生产的N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性，适用于高效能电源转换应用。其最大漏源电压（VDS）为60V，连续漏极电流（ID）可达55A，在栅极电压为10V时典型导通电阻（RDS(on)）仅为8.3mΩ。这款MOSFET广泛应用于同步整流、电机驱动、直流-直流转换器等领域。在实际应用中，设计者应注意正确选择栅极驱动电阻以优化开关速度并减少EMI干扰。此外，为了保证最佳的热性能，推荐使用适当的散热措施如散热片或PCB铜箔面积的设计。对于高可靠性要求的应用场景，还需考虑电气应力和温度循环对器件寿命的影响。

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