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MTZJT-779.1B

更新时间:2025-07-14 02:17:15
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MTZJT-779.1B外观图

MTZJT-779.1B

ROHM Semiconductor 单二极管/齐纳

DIODE ZENER 9.1V 500MW DO-34

  • 封装:DO-204AG，DO-34，轴向
MTZJT-779.1B 规格参数
  • 标准包装
    5,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    单二极管/齐纳
  • 系列
    -
  • 电压 - 齐纳（标称）(Vz)
    8.8V
  • 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）
    -
  • 电流 - 在 Vr 时反向漏电
    500nA @ 6V
  • 容差
    ±3%
  • 功率 - 最大
    500mW
  • 阻抗（最大）(Zzt)
    20 欧姆
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    DO-204AG，DO-34，轴向
  • 供应商设备封装
    MSD
  • 包装
    带盒（TB）
  • 工作温度
    -
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