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MUN5130DW1T1G

更新时间:2025-06-12 07:06:33

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易创佳业科技（深圳）有限公司
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MUN5130DW1T1G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

TRANS BRT PNP DUAL 50V SOT-363

封装:6-TSSOP，SC-88，SOT-363

MUN5130DW1T1G 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列
-
晶体管类型
2 个 PNP 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）
1k
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）
1k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
3 @ 5mA，10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
250mV @ 5mA，10mA
电流 - 集电极截止（最大）
500nA
频率 - 转换
-
功率 - 最大
250mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供应商设备封装
SOT-363
包装
带卷 (TR)

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