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MUN5137T1G

更新时间:2025-06-12 14:50:04

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MUN5137T1G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式

TRANS BRT PNP 100MA 50V SOT-323

封装:SC-70，SOT-323

MUN5137T1G 概述

MUN5137T1G是由安森美半导体生产的一款双NPN/PNP晶体管对。该器件采用SOT-363封装，尺寸小巧，适用于高密度表面贴装应用。其最大集电极-发射极电压为40V，适合在中低压电路中使用。典型应用包括模拟开关、信号放大和通用低功率放大器等场景。由于其集成了一对互补的晶体管，特别适合用于差分放大器和其他需要互补晶体管对的电路设计。在实际应用中，建议注意散热设计，尽管该器件功耗较低，但在连续工作或大信号条件下仍需考虑温度影响。电路设计时应确保输入信号不超过最大额定值以避免损坏器件。

MUN5137T1G 规格参数

标准包装
3,000
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 单路﹐预偏压式
系列
-
晶体管类型
PNP - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）
47k
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）
22k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
80 @ 5mA，10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大）
500nA
频率 - 转换
-
功率 - 最大
202mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SC-70，SOT-323
供应商设备封装
SC-70-3（SOT323）
包装
带卷 (TR)
其它名称
MUN5137T1GOS

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