其它信息：
字节模式：1048576×8；扇区结构：16KB×1，8KB×2，32KB×1，64KB×15；扇区保护：在被保护扇区提供扇区保护方法来防止编程和擦除操作；提供芯片未保护方法允许更改编码，在之前被保护的扇区提供临时扇区未保护方法来改变编码；单电源电压：2.7～3.6V；锁存保护250mA(－1V～VCC＋1V)；低禁止写操作电压：≤1.4V；兼容JEDEC标准；高性能：快速存取时间：55/70/90ns，快速编程时间：利用加速方法9μs/字节(典型值)，快速擦除操作时间：0.7s/扇区；低电压消耗，低动态读出电流7mA，低待机电流：200nA(典型值)；最少100000次擦除/编程操作；数据保留：10年；擦暂停/恢复：暂停扇区擦除操作而到另一个没有被执行擦操作的扇区读取数据或编程数据；支持公用闪存接口(CFI)；准备/忙(RY/BY＃)输出：提供一个硬件方法检测编程和擦除操作；硬件复位(RESET＃)输入：提供一个硬件方法去复位内部状态到读模式；无铅和遵从RoHS标准；密度与模式：8M位，8倍启动模块；启动模块类型：底部启动；工作温度范围：工业级温度－40～85℃；存取时间：70ns
引脚图：
IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9
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