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MMBT5088LT1G

更新时间:2024-02-27 05:42:52
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  • 大小:192.6KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:30V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):300V; Power Dissipation, Pd:0.225W; DC Current Gain Min (hfe):300; Package/Case:SOT-323 ;RoHS Compliant: Yes
  • 标准包装:3,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):50mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):30V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):500mV @ 1mA,10mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):300 @ 100µA,5V
  • 功率 - 最大:225mW
  • 频率 - 转换:50MHz
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商设备封装:SOT-23-3(TO-236)
  • 包装:带卷 (TR)
  • 其它名称:MMBT5088LT1GOSMMBT5088LT1GOS-NDMMBT5088LT1GOSTR
MMBT5088LT1G 相关信息
  • MMBT5088LT1G的技术参数
    产品型号:MMBT5088LT1G类型:NPN集电极-发射集最小雪崩电压Vceo(V):30集电极最大电流Ic(max)(mA):50直流电流增益hFE最小值(dB):300直流电流增益hFE最大值(dB):900最小电流增益带宽乘积Ft(MHz):5封装/温度(℃):SOT-23/-55~150价格/1片(套):暂无 来源:零八我的爱

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