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NCP5111DR2G

更新时间:2025-06-13 21:58:27
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NCP5111DR2G外观图

NCP5111DR2G

ON Semiconductor PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

IC DRIVER HI/LOW SIDE HV 8-SOIC

  • 封装:8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
NCP5111DR2G 规格参数
  • 标准包装
    2,500
  • 类别
    集成电路 (IC)
  • 家庭
    PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列
    -
  • 配置
    半桥
  • 输入类型
    非反相
  • 延迟时间
    750ns
  • 电流 - 峰
    250mA
  • 配置数
    1
  • 输出数
    2
  • 高端电压 - 最大（自引导启动）
    600V
  • 电源电压
    10 V ~ 20 V
  • 工作温度
    -40°C ~ 125°C
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装
    8-SOICN
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    NCP5111DR2G-NDNCP5111DR2GOSTR
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