32025是ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用表面贴装封装，具有低导通电阻和快速开关特性。它适用于各种电源管理应用，例如直流-直流转换器、负载开关以及电池供电设备中的功率控制电路。在便携式电子产品中，如智能手机和平板电脑等设备，ND432025可用于高效地管理电池的充放电过程，并确保系统在不同工作模式下能够稳定运行。此外，在工业控制系统里，也可以作为驱动电机或执行机构的功率开关使用。在实际应用时，需要注意合理设计PCB布局以减小寄生电感对开关性能的影响；并且根据具体的工作条件选择合适的栅极驱动电压，以保证MOSFET处于最佳工作状态。例如，在搭建一个降压型DC-DC转换器电路时，要确保MOSFET的栅极驱动电路能够提供足够快的上升和下降时间，从而减少开关损耗并提高整体效率。同时，还需要考虑散热设计，为MOSFET提供良好的散热路径，避免因过热而导致性能下降或损坏。

ND432025 规格参数

现有数量
0现货
系列
POW-R-BLOK?
包装
散装
产品状态
停产
结构
串联 - 全部为 SCR
SCR 数，二极管
2 SCRs
电压 - 断态
2 kV
电流 - 通态 (It (AV))（最大值）
250 A
电流 - 通态 (It (RMS))（最大值）
393 A
电压 - 栅极触发 (Vgt)（最大值）
3 V
电流 - 栅极触发 (Igt)（最大值）
150 mA
电流 - 非重复浪涌 50、60Hz (Itsm)
10120A @ 60Hz
电流 - 保持 (Ih)（最大值）
-
工作温度
-40°C ~ 130°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
模块

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