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NE5517DG

更新时间:2024-04-15 13:44:47
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NE5517DG 相关资料
  • 其它信息:

    恒阻抗缓冲器;缓冲器的△VBE是常数,具有放大器IBIAS改变;在放大器之间优良的匹配;线性二极管;高输出信噪比;可供无铅封装;温度范围;0~+70℃

  • 技术应用:

    NE5517DG的技术参数
    产品型号:NE5517DG通道数:2工作电压Max. (V):44输入失调电压Max.(mV):0.400电源电流(典型值)(mA):2.600输入偏置电流Iio(max)(μA):0.400带...

  • 引脚图:

    NE5517DG引脚图

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  • 大小:300KB
  • 厂家:
  • 描述:Transconductance Amplifier 2 Circuit Push-Pull 16-SOIC
  • 标准包装:48
  • 类别:集成电路 (IC)
  • 家庭:Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
  • 系列:-
  • 放大器类型:跨导
  • 电路数:2
  • 输出类型:推挽式
  • 转换速率:50 V/µs
  • 增益带宽积:2MHz
  • -3db带宽:-
  • 电流 - 输入偏压:400nA
  • 电压 - 输入偏移:400µV
  • 电流 - 电源:2.6mA
  • 电流 - 输出 / 通道:650µA
  • 电压 - 电源,单路/双路(±):4 V ~ 44 V,±2 V ~ 22 V
  • 工作温度:0°C ~ 70°C
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:16-SOIC
  • 包装:管件
  • 其它名称:NE5517DG-NDNE5517DGOS
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