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NGP8203N

更新时间:2025-06-16 04:17:39
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NGP8203N 规格参数
  • 制造商
    ON Semiconductor
  • 产品种类
    IGBT 晶体管
  • 配置
    Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    440 V
  • 栅极/发射极最大电压
    +/- 15 V
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 封装 / 箱体
    TO-220-3
  • 封装
    Rail
  • 集电极最大连续电流 Ic
    20 A
  • 最小工作温度
    - 55 C
  • 安装风格
    Through Hole
  • 工厂包装数量
    50
NGP8203N Datasheet数据手册 PDF下载
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