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NSBA115EDXV6T1

更新时间:2025-06-11 01:02:47
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NSBA115EDXV6T1 规格参数
  • 制造商
    ON Semiconductor
  • 产品种类
    Transistors Switching (Resistor Biased)
  • 配置
    Dual
  • 晶体管极性
    PNP
  • 典型输入电阻器
    100 KOhms
  • 典型电阻器比率
    1
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    SOT-563-6
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    50 V
  • 集电极连续电流
    - 0.1 A
  • 峰值直流集电极电流
    100 mA
  • 功率耗散
    357 mW
  • 最大工作温度
    + 150 C
  • 封装
    Reel
  • 最小工作温度
    - 55 C
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