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NSBC124EPDXV6T5G

更新时间:2025-05-18 18:53:37

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深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市金灿利电子科技有限公司
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深圳中和芯电子有限公司
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深圳闻舟科技有限公司
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深圳市华美锐电子有限公司
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深圳市天卓伟业电子有限公司
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深圳市顺鑫晟科技有限公司
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深圳市英德州科技有限公司
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易创佳业科技（深圳）有限公司
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深圳市科讯世纪电子科技有限公
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NSBC124EPDXV6T5G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式

TRANS BRT DUAL COMPL 50V SOT-563

封装:SOT-563，SOT-666

NSBC124EPDXV6T5G 规格参数

标准包装
8,000
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
系列
-
晶体管类型
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
50V
电阻器 - 基极 (R1)（欧）
22k
电阻器 - 发射极 (R2)（欧）
22k
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
60 @ 5mA，10V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
250mV @ 300µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大）
500nA
频率 - 转换
-
功率 - 最大
500mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商设备封装
SOT-563
包装
带卷 (TR)

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