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NSS60601MZ4T3G

更新时间:2025-06-23 02:57:39

供应商
产品型号
服务标识
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封装/批号
说明
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深圳市集好芯城科技有限公司
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深圳市诚研翔科技有限公司
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深圳市金华微盛电子有限公司
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深圳市金嘉锐电子有限公司
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深圳市科圳威电子有限公司
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深圳市永贝尔半导体有限公司
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只做原装更多数量在途订单

深圳市华美锐电子有限公司
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深圳市正纳电子有限公司
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深圳市博伟奇电子有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市杰兴伟业电子有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市君云达电子科技有限公司
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可查官网https//www.icscjh.com/

深圳市伟欣华电子有限公司
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只做原装，现货库存

深圳市腾迅辉电子科技有限公司
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深圳市芯福林电子科技有限公司
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ON专线原厂渠道香港现货一周交期

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深圳市硅宇电子有限公司
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助力国营二十余载，一站式BOM配单

上海熠富电子科技有限公司
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专注场效应MOS管,LDO电源 ESD静电管

深圳市南科功率半导体有限公司
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深圳市芯国创科技有限公司
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深圳市华芯源电子有限公司
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NSS60601MZ4T3G外观图

NSS60601MZ4T3G

ON Semiconductor 晶体管(BJT) - 单路

TRANSISTOR NPN 6A 60V SOT-223

封装:TO-261-4，TO-261AA

NSS60601MZ4T3G 概述

NSS60601MZ4T3G是安森美半导体生产的一款P沟道增强型MOSFET。它采用小巧的Micro-8封装，具有低导通电阻特性，在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻仅为0.032欧姆，这有助于减少功率损耗并提高系统效率。该MOSFET的最大漏源电压（VDSS）为-60V，适用于需要高耐压能力的应用场景。典型应用包括电源管理电路、电机控制以及各类工业和消费电子设备中的开关电路。在电机控制应用中，需注意正确设计栅极驱动电路以确保可靠开启和关闭MOSFET，并且要充分考虑散热设计以避免过热损坏。

NSS60601MZ4T3G 规格参数

标准包装
4,000
类别
分离式半导体产品
家庭
晶体管(BJT) - 单路
系列
-
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic)（最大）
6A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）
60V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）
300mV @ 600mA，6A
电流 - 集电极截止（最大）
-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)
120 @ 1A，2V
功率 - 最大
800mW
频率 - 转换
100MHz
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
供应商设备封装
SOT-223
包装
带卷 (TR)

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