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NSTB1005DXV5T1G

更新时间:2025-06-12 20:59:38
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NSTB1005DXV5T1G 规格参数
  • 制造商
    ON Semiconductor
  • 产品种类
    Transistors Bipolar (BJT)
  • 晶体管极性
    PNP
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO
    50 V
  • 直流集电极/Base Gain hfe Min
    80 at 5 mA at 10 V
  • 配置
    Dual Common Base and Collector
  • 安装风格
    SMD/SMT
  • 封装 / 箱体
    SOT-553-5
  • 封装
    Reel
  • 集电极连续电流
    0.1 A
  • 功率耗散
    357 mW
  • 工厂包装数量
    4000
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