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NTB18N06LT4G

更新时间:2025-05-15 20:07:41

供应商
产品型号
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厂商
封装/批号
说明
询价

深圳市辉华电子半导体有限公司
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18年用芯服务，承接一站式BOM配单
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深圳市君云达电子科技有限公司
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43535
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TO263/24+
原装正支持实单

深圳市威尔健半导体有限公司
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8500
ON/安森美
TO263/2025+
原装现货

深圳市晶美隆科技有限公司
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98600
ON/安森美
SOT263/24+
假一罚十，原装进口现货供应，只做原装

深圳市勤尚伟业电子有限公司
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5000
ON
D2PAK/23+
原装库存，提供优质服务

瀚佳科技（深圳）有限公司
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16800
ONS
D2PAK/2020+
原装进口现货，假一赔十，价格优势

深圳市誉辉天成电子有限公司
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5000
ON/安森美
-/24+
优势渠道现货,提供一站式配单服务

深圳市特立芯科技有限公司
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D2PAK/26+
全新原装现货，一站式配单服务

深圳市得捷芯城科技有限公司
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3500
ON/安森美
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原装现货，当天可交货，原型号开票

深圳市安富世纪电子有限公司
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6000
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SOT263/23+
终端可以免费供样，支持BOM配单

深圳市硅诺电子科技有限公司
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89000
ON
TO263/25+
原装认证有意请来电或QQ洽谈

深圳市永贝尔半导体有限公司
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9200
VB
T0263/23+
只做原装更多数量在途订单

深圳市威雅利发展有限公司
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原装现货

深圳市能元时代电子有限公司
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84293
ON Semiconductor
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/25+
百分百原装，价格优势可提供技术支持，免费送样品

深圳市诚研翔科技有限公司
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8000
ON
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原装现货，配单能手

深圳市优尚半导体科技有限公司
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D2PAK/23+
优势产品大量库存原装现货

深圳市华盛锦科技有限公司
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原装现货，支持BOM配单

深圳市创宝来科技有限公司
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特价特价全新原装现货

深圳市创芯联盈电子有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司
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官网可查icscjh.com

深圳市芯乐创科技有限公司
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TSSOP/26+
只做原装，专注提供BOM配单服务

深圳市万佳电子贸易有限公司
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原装现货

深圳市华美锐科技有限公司
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D2PAK/11+
原装正品热卖，价格优势

深圳市科翼源电子有限公司
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ON
TO263/26+
原装现货

深圳市怡兴业电子科技有限公司
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6000
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TO263/23+
专注电子元件十年，只做原装现货

深圳市诚研翔科技有限公司
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6000
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SOT263/08+
原装正品,配单能手

深圳市华美锐电子有限公司
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1080
ON
-/08
公司现货，进口原装热卖

深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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4500
O
T0263/23+
终端可以免费供样，支持BOM配单

深圳市亿科泰电子科技有限公司
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22500
ON
D2PAK 3 LEAD/16+RoHS
保证质量质优价好给你

深圳市华美锐电子有限公司
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52701
ON/安森美
TO263/22+
只做原装,专注海外现货订购20年

深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
NTB18N06LT4G
540030
IR
SO8/22+
可查官网https//www.icscjh.com/

深圳市龙胜微科技有限公司
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TO263/D2PAK/1737+
注重品质，价格优势

深圳市河锋鑫科技有限公司
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9000
ON Semiconductor
TO2633 D2Pak (2 Leads + Tab) TO263AB/2024+
原厂渠道，现货配单

深圳市诚研翔科技有限公司
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6000
ON
SOT263/08+
原装正品，配单能手

深圳市泰佳兴电子有限公司
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41000
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大量现货提供一站式配单服务

深圳市金科创世纪电子有限公司
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70000
ON/安森美
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深圳市粤东诚信电子有限公司
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原包装进口正品现货库存-正规渠道

深圳市芯通晟电子有限公司
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深圳市南科功率半导体有限公司
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686868
NK/南科功率
TO2632/2025+
南科国产替代

深圳市芯国创科技有限公司
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9000
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D2PAK/24+
原装现货,提供优质配单服务

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NTB18N06LT4G外观图

NTB18N06LT4G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

封装:TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB

NTB18N06LT4G 概述

NTB18N06LT4G是由安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻特性，典型值为0.023欧姆（在Vgs=10V时）。其最大漏极电流可达18A，耐压值为60V，适用于多种电源管理应用。此MOSFET广泛应用于直流-直流转换器、电机驱动、负载开关以及电池管理等场景中。由于其快速的开关速度和低功耗特性，特别适合于需要高效能量转换的设计。在实际使用时，建议根据具体的应用需求选择合适的栅极电阻以优化开关性能。同时，在布局PCB时应尽量减小源极引线电感，避免影响器件的开关性能。对于高频率应用场合，需考虑并联适当的电容来吸收尖峰电压。

NTB18N06LT4G 规格参数

标准包装
800
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 单
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
15A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
100 毫欧 @ 7.5A，5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
20nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
440pF @ 25V
功率 - 最大
48.4W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装
D2PAK
包装
带卷 (TR)
其它名称
NTB18N06LT4GOSNTB18N06LT4GOS-NDNTB18N06LT4GOSTR

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