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NTB75N06T4

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NTB75N06T4PDF下载 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

NTB75N06T4外观图

  • 制造商：ON Semiconductor
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：60 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：75 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.0095 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：D2PAK
  • 封装：Reel
  • 下降时间：100 ns
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：40.2 S
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：214 W
  • 上升时间：112 ns
  • 工厂包装数量：800
  • 典型关闭延迟时间：90 ns
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