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NTMFS4833NST1G

更新时间:2025-05-15 19:59:59
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NTMFS4833NST1G外观图

NTMFS4833NST1G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 30V 16A SO-8FL

  • 封装:8-PowerTDFN
NTMFS4833NST1G 规格参数
  • 标准包装
    1,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    SENSEFET®
  • FET 型
    *
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    16A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    2.2 毫欧 @ 30A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    86nC @ 11.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    5250pF @ 12V
  • 功率 - 最大
    900mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装
    SO-8FL
  • 包装
    带卷 (TR)
芯知识
1.7万
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广东微尔科技有限公司
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