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NTMFS5830NLT1G

更新时间:2025-05-23 15:43:41
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NTMFS5830NLT1G外观图

NTMFS5830NLT1G

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 40V 28A SO-8FL

  • 封装:8-TDFN 裸露焊盘（5 引线）
NTMFS5830NLT1G 规格参数
  • 标准包装
    1,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    28A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    2.3 毫欧 @ 20A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    113nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    5880pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    3.2W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-TDFN 裸露焊盘（5 引线）
  • 供应商设备封装
    6-DFN，8-SO 扁平引线（5x6）
  • 包装
    带卷 (TR)
芯产品
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广东微尔科技有限公司
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