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NTMFS6B03NT1G

更新时间:2025-05-18 23:01:07

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米德高斯半导体（深圳）有限公
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深圳市高胜电子有限公司
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深圳市菲悦电子科技有限公司
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中扬电子（深圳）有限公司
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NTMFS6B03NT1G 概述

NTMFS6B03NT1G是安森美半导体推出的一款N沟道功率MOSFET。它采用超紧凑的SOT-23封装，适用于空间受限的应用场景。该MOSFET的最大漏源电压Vds为30V，能够满足多种低压应用需求。其低导通电阻Rds(on)有助于降低开关损耗和提高能效，特别适合于电池管理、负载开关以及DC-DC转换器等应用场景。在便携式设备如智能手机和平板电脑中，NTMFS6B03NT1G可以有效提升电源管理效率并延长电池寿命。设计时应注意合理选择栅极驱动电压以确保最佳性能，并且注意散热设计以维持器件长期稳定工作。

NTMFS6B03NT1G 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
19A（Ta），132A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.8 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
58 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4200 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.4W（Ta），165W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线

芯知识

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