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NTMFS6B14NT1G

更新时间:2025-05-16 11:35:33

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NTMFS6B14NT1G 概述

NTMFS6B14NT1G是一款N沟道增强型功率MOSFET，由安森美半导体生产。该MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，具有极低的导通电阻（RDS(on)），典型值为3.5mΩ（在4.5V栅源电压下），这有助于降低导通损耗并提高效率。其最大漏源电压（VDS）为30V，连续漏极电流（ID）可达28A，适用于需要高效率开关的场合。此款MOSFET广泛应用于直流-直流转换器、负载点(POL)调节器、电池管理电路以及电机驱动等场景。由于其封装形式为SOT-23，尺寸小巧，因此非常适合空间受限的设计需求。在实际应用中，建议合理设计栅极驱动电路以确保快速开关，并注意散热设计以维持稳定工作温度。

NTMFS6B14NT1G 规格参数

现有数量
0现货
系列
-
包装
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10A（Ta），50A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）
20 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1300 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.1W（Ta），77W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
封装/外壳
8-PowerTDFN，5 引线

芯知识

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