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NTR4101PT1

更新时间:2025-05-27 04:45:46

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深圳市集好芯城科技有限公司
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ON
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进口原装现货

深圳闻舟科技有限公司
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认证现货
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原装有现货实单可谈

北京南电科技发展有限公司
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原厂授权渠道，现货

深圳华美锐科技有限公司
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认证现货
10000
ON
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全新原装现货支持实单

深圳市创科洋电子有限公司
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深圳智睿捷科技有限公司
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深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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原厂渠道，现货配单

深圳市奥诗达电子有限公司
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奥诗达电子，只做原装假一赔百

深圳智睿捷科技有限公司
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深圳市勤尚伟业电子有限公司
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非凡微技术（深圳）有限公司
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原装现货.假一罚十

深圳闻舟科技有限公司
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ONSemi/安森美
SOT23/24+
原装有现货实单可谈

深圳市程涵电子有限公司
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原厂渠道，现货，支持实单

深圳市福田区超洋芯电子经营部
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深圳市联芯德科技有限公司
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ON/安森美
SOT233/15+
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深圳华盛半导体集团有限公司
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优势
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ON可拆样
SOT23/22+
原装现货

深圳市思佳捷科技有限公司
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优势
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ON
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深圳市英德州科技有限公司
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NTR4101PT1 概述

NTR4101PT1是由安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道MOSFET。该器件采用DPAK封装，具有低导通电阻特性，在栅极电压为-4.5V时，最大导通电阻仅为32mΩ（典型值26mΩ），这有助于减少导通损耗。这款MOSFET适用于多种应用场景，如电源管理电路中的负载开关、DC-DC转换器同步整流以及电池保护电路等。在实际应用中，需注意其最大漏极电流为-3.8A（连续）和-14A（脉冲）。为了确保可靠工作，设计PCB布局时要特别关注散热设计，并遵循制造商推荐的焊盘布局指南以实现良好散热效果。此外，在驱动电路设计上，应提供足够的栅极驱动能力以保证快速开关，避免因缓慢开关造成的过热问题。

NTR4101PT1 规格参数

制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
晶体管极性
P-Channel
汲极/源极击穿电压
- 20 V
闸/源击穿电压
+/- 8 V
漏极连续电流
- 3.2 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）
0.112 Ohms
配置
Single
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23
封装
Reel
下降时间
12.6 ns
正向跨导 gFS（最大值/最小值）
75 S
最小工作温度
- 55 C
功率耗散
0.73 W
上升时间
12.6 ns
工厂包装数量
3000
典型关闭延迟时间
30.2 ns

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