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NTZD3155CT2G

更新时间:2025-07-11 05:30:28

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深圳市辉华电子半导体有限公司
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深圳市诚研翔科技有限公司
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严选现货=现货+好口碑+品质承诺
规则
带有此标记的料号：
1.表示供应，口碑良好，缴纳了保证金，经维库认证中心严格审查。
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SOT563/18+
公司100%全新原装现货

深圳市诚研翔科技有限公司
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认证现货
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深圳市勤尚伟业电子有限公司
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优势
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深圳市思佳捷科技有限公司
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深圳市合江泰电子有限公司
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深圳市先杰世纪科技有限公司
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深圳市芯福林电子科技有限公司
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深圳市杰兴伟业电子有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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提供BOM一站式配单服务

柒号芯城电子商务(深圳)有限公
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深圳市岳泰达电子有限公司
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深圳市华普冠科电子科技有限公
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现代芯城（深圳）科技有限公司
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深圳市勤尚伟业电子有限公司
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5000
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SOT563/25+
只做原装，可提供技术支持及配单服务

深圳市永贝尔半导体有限公司
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只做原装更多数量在途订单

深圳市威雅利发展有限公司
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深圳市讯运电子有限公司
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深圳市能元时代电子有限公司
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深圳市诚研翔科技有限公司
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深圳市优尚半导体科技有限公司
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深圳市华盛锦科技有限公司
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深圳市英科美电子有限公司
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NTZD3155CT2G

ON Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT-563

封装:SOT-563，SOT-666

NTZD3155CT2G 概述

NTZD3155CT2G是一款由安森美半导体生产的双N沟道MOSFET，采用SOT-23封装。它具有低导通电阻和快速开关特性，适用于电池供电设备中的负载开关或电源管理应用。该MOSFET的最大漏源电压为20V，适合于低压电路设计。由于其紧凑的封装尺寸和良好的电气性能，NTZD3155CT2G常被用于便携式电子设备如智能手机和平板电脑中，以实现高效的电源控制和管理。此外，它也可以用于DC-DC转换器和其他需要高效能开关元件的应用场景。在实际使用时，需注意确保栅极驱动电压足够以完全开启MOSFET，并且要考虑到散热问题，特别是在高电流应用中。

NTZD3155CT2G 规格参数

标准包装
4,000
类别
分离式半导体产品
家庭
FET - 阵列
系列
-
FET 型
N 和 P 沟道
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
540mA，430mA
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
550 毫欧 @ 540mA，4.5V
Id 时的 Vgs(th)（最大）
1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
2.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
150pF @ 16V
功率 - 最大
250mW
安装类型
表面贴装
封装/外壳
SOT-563，SOT-666
供应商设备封装
SOT-563
包装
带卷 (TR)

芯知识

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