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NVMFD5877NLT3G

更新时间:2025-05-16 03:18:24
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NVMFD5877NLT3G外观图

NVMFD5877NLT3G

ON Semiconductor FET - 阵列

MOSFET N-CH 60V 17A 8SOIC FL

  • 封装:8-PowerTDFN
NVMFD5877NLT3G 规格参数
  • 标准包装
    5,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    -
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    17A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    39 毫欧 @ 7.5A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    5.9nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    540pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    3.2W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-PowerTDFN
  • 供应商设备封装
    8-DFN（5x6）
  • 包装
    带卷 (TR)
芯知识
1.7万
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广东微尔科技有限公司
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