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NVTFS5826NLTWG

更新时间:2025-05-18 06:54:59
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NVTFS5826NLTWG外观图

NVTFS5826NLTWG

ON Semiconductor FET - 单

MOSFET N-CH 60V 20A 8WDFN

  • 封装:8-WDFN 裸露焊盘
NVTFS5826NLTWG 规格参数
  • 标准包装
    5,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    7.6A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    24 毫欧 @ 10A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    16nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    850pF @ 25V
  • 功率 - 最大
    3.2W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    8-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装
    8-WDFN（3.3x3.3）
  • 包装
    带卷 (TR)
NVTFS5826NLTWG Datasheet数据手册 PDF下载
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