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PEMZ1,115

更新时间:2025-05-05 07:18:11

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PEMZ1,115的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

PEMZ1,115外观图

标准包装：4,000
类别：分离式半导体产品
家庭：晶体管(BJT) - 阵列
系列：-
晶体管类型：NPN，PNP
电流 - 集电极 (Ic)（最大）：100mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大）：40V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：200mV @ 5mA，50mA
电流 - 集电极截止（最大）：-
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：120 @ 1mA，6V
功率 - 最大：300mW
频率 - 转换：100MHz
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-563，SOT-666
供应商设备封装：SOT-666
包装：带卷 (TR)
其它名称：934056705115PEMZ1 T/RPEMZ1 T/R-ND

芯知识

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