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PH6325L,115

更新时间:2025-06-24 06:40:29
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PH6325L,115外观图

PH6325L,115

NXP Semiconductors FET - 单

MOSFET N-CH 25V 78.7A LFPAK

  • 封装:SC-100，SOT-669，4-LFPAK
PH6325L,115 规格参数
  • 标准包装
    1,500
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    TrenchMOS™
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    25V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    78.7A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    6.3 毫欧 @ 25A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    2V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    13.3nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    1871pF @ 12V
  • 功率 - 最大
    62.5W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SC-100，SOT-669，4-LFPAK
  • 供应商设备封装
    LFPAK，Power-SO8
  • 包装
    带卷 (TR)
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