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PHB101NQ03LT

更新时间:2025-05-17 19:17:54

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产品型号
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厂商
封装/批号
说明
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香港晨兴安富利电子有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司
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深圳市华芯源电子有限公司
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上海熠富电子科技有限公司
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PH
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北京睿宸齐芯科技有限公司
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深圳市安富世纪电子有限公司
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深圳市芯齐壹科技有限公司展会宣传
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深圳市宏世佳电子科技有限公司
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深圳晨欣芯讯电子科技有限公司
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4500
NXP/恩智浦
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无锡固电半导体股份有限公司
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深圳市金灿利电子科技有限公司
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168000
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PHB101NQ03LT 概述

PHB101NQ03LT是由Nexperia公司生产的一款P沟道MOSFET。该器件采用节省空间的无引脚DFN1006BD-2封装，适用于高密度表面贴装应用。其最大漏源电压为-30V，导通电阻低，在栅极驱动电压为-4.5V时典型值仅为0.047Ω，这有助于降低功耗。该MOSFET适用于各种电源管理应用，如负载开关、电池保护电路以及DC - DC转换器中的同步整流等。在实际应用中，由于其小尺寸封装，布局时需特别注意散热设计，确保良好的热传导路径以避免过热。对于高速开关应用，应合理选择栅极电阻来优化开关速度和电磁兼容性。在进行PCB布局时，尽量缩短源极到地的连接距离以减小寄生电感的影响。

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