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PHW11N50E

更新时间:2025-07-03 23:49:58

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深圳市诚研翔科技有限公司
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PHW11N50E 概述

11N50E是由PFC Device公司生产的高性能N沟道MOSFET，采用TO-247封装。该器件设计用于高电压应用，最大漏源电压可达500V，连续漏极电流为11A。其低导通电阻和快速开关特性使其在电源管理电路中表现出色。典型应用场景包括不间断电源（UPS）、直流-直流转换器、电动机驱动以及高频开关电源等。在这些应用中，PHW11N50E能够有效提高效率并减少功耗。使用时需注意栅极驱动电压的选择，以确保完全开启MOSFET，建议驱动电压范围为10V至20V。此外，在布局PCB时应尽量减小栅极回路电感，避免产生振铃现象影响性能。对于需要高效功率转换的设计，PHW11N50E是一个可靠的选择。

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