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PMDPB65UP,115

更新时间:2025-05-21 02:29:02
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PMDPB65UP,115外观图

PMDPB65UP,115

NXP Semiconductors FET - 阵列

MOSFET P-CH 20V DUAL SOT1118

  • 封装:6-UDFN 裸露焊盘
PMDPB65UP,115 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    -
  • FET 型
    2 个 P 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    3.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    70 毫欧 @ 1A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    380pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    520mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-UDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装
    6-HUSON
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    568-6496-6
芯产品
1.2万
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广东微尔科技有限公司
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