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PMDT290UCE,115

更新时间:2025-06-05 16:20:30
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PMDT290UCE,115外观图

PMDT290UCE,115

NXP Semiconductors FET - 阵列

MOSFET NCH DUAL 20V 800MA SOT666

  • 封装:SOT-563，SOT-666
PMDT290UCE,115 规格参数
  • 标准包装
    4,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 阵列
  • 系列
    -
  • FET 型
    2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    800mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    380 毫欧 @ 500mA，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    0.95V @ 250µ:A
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    0.68nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    83pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    330mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SOT-563，SOT-666
  • 供应商设备封装
    SOT-666
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    PMDT290UCE115
芯产品
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广东微尔科技有限公司
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