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PMFPB6532UP,115

更新时间:2025-05-26 04:44:20
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PMFPB6532UP,115外观图

PMFPB6532UP,115

NXP Semiconductors FET - 单

MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT1118

  • 封装:6-UDFN 裸露焊盘
PMFPB6532UP,115 规格参数
  • 标准包装
    1
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    二极管（隔离式）
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    3.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    70 毫欧 @ 1A，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    6nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    380pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    1.25W
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    6-UDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装
    6-HUSON
  • 包装
    Digi-Reel?
  • 其它名称
    568-6531-6
芯知识
3.0万
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广东微尔科技有限公司
PMFPB6532UP,115相关型号

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