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PMGD8000LN,115

更新时间:2025-05-03 19:18:57
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PMGD8000LN,115的中文资料 图文及资料仅供参考，以实际PDF为准

PMGD8000LN,115外观图

  • 标准包装：3,000
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 阵列
  • 系列：TrenchMOS™
  • FET 型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：125mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8 欧姆 @ 10mA，4V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：1.5V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：350pC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：18.5pF @ 5V
  • 功率 - 最大：200mW
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装：6-TSSOP
  • 包装：带卷 (TR)
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