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PMR670UPE,115

更新时间:2025-05-28 04:11:56
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PMR670UPE,115外观图

PMR670UPE,115

NXP Semiconductors FET - 单

MOSFET P-CH 20V 480MA SC-75

  • 封装:SC-75，SOT-416
PMR670UPE,115 规格参数
  • 标准包装
    3,000
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    480mA
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    850 毫欧 @ 400mA，4.5V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    1.3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    1.14nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    87pF @ 10V
  • 功率 - 最大
    250mW
  • 安装类型
    表面贴装
  • 封装/外壳
    SC-75，SOT-416
  • 供应商设备封装
    SC-75
  • 包装
    带卷 (TR)
  • 其它名称
    PMR670UPE115
芯知识
1.7万
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广东微尔科技有限公司
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