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PSMN3R0-60ES,127

更新时间:2025-05-21 08:50:20
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PSMN3R0-60ES,127外观图

PSMN3R0-60ES,127

NXP Semiconductors FET - 单

MOSFET N-CH 60V 100A SOT226

  • 封装:TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
PSMN3R0-60ES,127 规格参数
  • 标准包装
    50
  • 类别
    分离式半导体产品
  • 家庭
    FET - 单
  • 系列
    -
  • FET 型
    MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 特点
    逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)
    60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
    100A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C
    3 毫欧 @ 25A，10V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）
    4V @ 1mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs
    130nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds
    8079pF @ 30V
  • 功率 - 最大
    306W
  • 安装类型
    通孔
  • 封装/外壳
    TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA
  • 供应商设备封装
    I2PAK
  • 包装
    管件
  • 其它名称
    568-6906-5
PSMN3R0-60ES,127 Datasheet数据手册 PDF下载
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广东微尔科技有限公司
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